中国苏州，2022年11月23日——希科半导体科技(苏州)有限公司于苏州纳米科技城召开碳化硅(SiC)外延片投产新闻发布会。会上公司创始人、总经理吕立平宣布公司用国产衬底和国产外延设备生产的6英寸SiC外延片，已于近期通过两大权威机构的双重检测，具备媲美国际大厂SiC外延片的品质，为我国碳化硅行业创下了一个毫无争议的新纪录，就此希科半导体碳化硅外延片正式投产!
苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾，苏州纳米城科技发展有限公司董事、总裁张淑梅、中国电子材料协会副理事长袁桐，南京大学教授、固体微机构物理国家重点实验室主任陈延峰、中国冶金自动化研究设计院教授级高级工程师高达，以及来自碳化硅领域的产业投资人、客户以及诸多产业上下游代表共同应邀出席了当天的发布会，共同见证了中国碳化硅产业界这一历史时刻。
当前半导体设备已经成为中国高科技产业国产化的“卡脖子”环节之一，严重制约了我国企业在半导体核心材料产业化方面赶超国际企业的步伐。如何实现关键技术突破，以实现国产化替代进程，成为了近年来我国半导体行业面临的重要课题。可喜的是，随着国家的高度重视和大力扶持，在业界各方的共同努力下，国产设备也在逐步崛起。此次希科半导体在SiC外延片工艺研发上取得的突破性进展就是采用的纯国产设备和完全自主的先进工艺，显示了国内企业振兴我国半导体产业的信心和决心，也让与会的专家领导倍感振奋。
吕立平总经理介绍，在过去的一年里，希科半导体公司通过购买的国产水平外延炉调试成功、国产量测设备调试成功并完成与进口量测设备的对标校准，填补了行业空白;近日公司又进一步实现了国产垂直外延炉的调试成功，并完成了国产衬底原料与进口衬底同等外延工艺下的对比测试，至此希科半导体实现了工艺设备、量测设备、关键原料的三位一体国产化，完全、干净、彻底的解决了国外产品的卡脖子问题。这一系列成果均为我国碳化硅行业的新纪录。
据了解，SiC外延是半导体产业器件生产过程中非常基础但又十分关键的核心步骤。所谓SiC外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。在实际应用中，半导体器件及户都是做在外延层上，而碳化硅晶片本身只是作为衬底。因此外延的质量对器件的性能影响巨大。而外延的质量又受到晶体和衬底加工的影响，处在产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。长期以来，SiC外延生产设备及工艺被欧美等发达国家垄断。国内同业一直在国产设备和生产工艺上积极研发以解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。
与会的园区领导和行业专家亦高度称赞了希科半导体的产业突破，对它实现了“关键工艺机台已经全部国产化”和“量测机台全部本土替代”，寄予厚望。专家们认为本次希科半导体在生产研发上的系列突破，对公司自身的发展和整个外延工艺行业摆脱国外技术封锁都打下了良好的基础。
希科半导体公司成立于2021年8月，坐落于苏州工业园区纳米城第三代半导体产业园，也是苏州纳米城引入的重要产业代表之一。公司自成立以来始终专注于碳化硅产业链材料外延片关键环节，核心团队拥有多年资深的研发经验和世界级大厂的管理经验，也储备多项自主知识产权。其中公司创始人、总经理吕立平具有丰富的产业化设计和建设经验，是国内最早从事SiC技术研发和产业化的技术人才，拥有多项发明专利和实用新型专利。
发布会上，吕立平总经理对莅临发布会的诸位领导及各方嘉宾，表达了感谢。他表示希科半导体公司能够在成立的短短一年时间里取得里程碑式的进展，是站在中国芯片行业发展势能与机遇的基础上取得的，其中就有来自苏州工业园区及纳米城的大力支持。
近年来，随着新能源和双碳产业的崛起，碳化硅行业正面临着井喷式的市场机遇，苏州纳米城，凭借着对国家政策的抢先领悟，树立了优秀的服务扶持理念，也搭建了完善的半导体产业基础设施，目前这里已经成为了中国芯片产业的聚集地。这里地理位置优越，交通便利，加之教育和医疗等生活配套非常到位，帮助了越来多的外来创业者在这里实现先安居后乐业。
